к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Гетеролазер

Гетеролазер - полупроводниковый лазер на основе гетероструктур. Наиб. распространены инжекционные Г., в к-рых активной средой является узкозонный слой гетероструктуры. Это полупроводник (гл. обр. AIIIBV) с высоким квантовым выходом излучат. рекомбинации. Спектральный диапазон излучения Г. определяется 1119923-61.jpg узкозонного полупроводника.

В инжекционных лазерах с р-n-переходом в прозрачном полупроводнике световое поле генерации проникает далеко за пределы активного слоя в области с высоким для него коэф. поглощения. Толщина активного слоя меньше области рекомбинации неравновесных ин-жектир. носителей заряда (рис. 1, а). Это определяет большие потери энергии, высокую пороговую плотность тока и низкий кпд при темп-pax T1119923-64.jpg300К. В Г. вследствие оптического и электронного ограничений можно управлять областью локализации светового поля и неравновесной электронно-дырочной плазмы. В Г. с односторонней гетероструктурой (ОГС-лазер, рис. 1, б) на расстоянии d от инжектирующего р-n-перехода создаётся потенц. барьер за счёт гетероперехода с более широкозонным полупроводником. Если скорость рекомбинации на гетерогранице мала (что обычно имеет место при совпадении параметров кристаллич. решёток полупроводников), то носители отражаются от барьера и увеличивают при том же токе ср. концентрацию неосновных носителей в области усиления. Тем самым инверсная населённость в активном слое, возникающая при определ. концентрации инжектир. носителей, достигается при меньшем значении плотности тока. Скачок показателя преломления на границе одновременно приводит к уменьшению проникновения светового поля в поглощающую р-область. Уменьшение рекомбинац. и оптич. потерь снижает ток, необходимый для возбуждения генерации.

1119923-62.jpg

Рис. 1. Зонные диаграммы полупроводниковой структуры (1), концентрация электронов п и дырок р(2), амплитуда светового поля 1119923-63.jpg и коэф. усиления g (3): а - в лазере с р - n-переходом; б - в гетеролазере с 1 гетеропереходом (с односторонним ограничением); в - в гетеролазере с двойной гетероструктурой (с двусторонним ограничением).


Наилучшими параметрами обладает Г. на основе трёхслойной (двойной) гетероструктуры (ДГС) с активным слоем из узкозонного полупроводника, заключённым между 2 широкозонными (ДГС-лазеры, рис. 1, в). Двустороннее оптическое и электронное ограничение приводит к совпадению области инверсной населённости и светового поля, что позволяет получить генерацию при малом токе накачки. Использование для инжекции носителей гетероперехода позволяет осуществить сверхинжекцию для достижения достаточно большой инверсии населённости в активном слое.

Неравновесные носители можно локализовать в значительно меньшей области, чем световое поле. Так, в ДГС-лазерах толщину d узкозонного активного слоя удаётся довести до размеров длины волны де Бройля электрона с кинетич. энергией, близкой к высоте потенц. барьера на границах (d~6-8 нм). Ширина активного слоя такого Г. порядка длины волны генерируемого излучения и контролируется независимо изменением показателя преломления п среды. T. о., Г. можно рассматривать как планарный оптич. волновод со встроенным в него активным усиливающим слоем. Волновод образован за счёт изменения п в плоскости, перпендикулярной гетеропереходу, а локализация электронно-дырочной плазмы в слое заданной толщины обеспечена потенц. барьерами на границе этого слоя с более широкозонным полупроводником.

1119923-65.jpg

Рис. 2. Гетеролазер с резонатором Фабри-Перо, образованный сколотыми гранями полупроводникового кристалла: {110} - плоскости естественного скола, перпендикулярные активному слою, ориентированному в плоскости {100}.

1119923-69.jpg

Рис. 3. Схема двух полосковых гетеролазеров с распределённым брэгговским отражением. Локализация протекания тока в узких полосках достигается за счёт высокого электрического сопротивления областей, подвергнутых ионной имплантации; световое поле локализовано в составном волноводе, образованном слоями 1119923-70.jpg а неравновесные носители локализованы в слое P=GaAs,1119923-71.jpg- шаг дифракционной решётки.

Зеркалами Г. обычно служат грани кристалла (рис.2). Однако в Г. используются также внеш. оптические резонаторы или положит. обратная связь, основанная на распределённом отражении света на периодич. оптич. неоднородностях. Для этого на поверхность волноводного слоя Г. наносится дифракц. решётка с периодом 1119923-66.jpg (рис. 3), кратным целому числу полуволн излучения в среде: 1119923-67.jpg . Здесь1119923-68.jpg - длина волны лазерного излучения в вакууме, N - эффективный показатель преломления волноводнои моды, т - порядок брэгговского отражения. Различают Г. с рагпределённой обратной связью (РОС), когда световая волна взаимодействует с решёткой в области усиления, и с распределённым брэгговским отражением (PBO), когда решётка нанесена на пассивную часть волноводнои структуры Г. РОС- и РБО-Г. характеризуются узкополосностью (1119923-72.jpg~0,1 нм) и высокой температурной стабильностью 1119923-73.jpg . Дифракц. решётка используется в РОС-Г. также для вывода излучения, что улучшает направленность излучения и повышает его мощность. РБО-Г. могут быть сформированы в едином технол. процессе с др. элементами интегральной оптики, базирующимися на полупроводниковых волноводных гетероструктурах.

Г. осуществлён впервые в СССР (1968), а затем в США (1969) на гетероструктуре GaAs-AlAs. Г. перекрыли диапазон 1119923-74.jpg от жёлто-зелёной области до неск. десятков мкм (1980). Твёрдые растворы GaxIn1-xASyP1-y, изопериодические с подложкой GaPxAs1-x, позволили создать самые коротковолновые инжекционные Г. (при Т~300К). Эти же твёрдые растворы, изопериодические с подложкой InP, позволяют получать низкопороговые инжекционные Г. для 1119923-75.jpg~1 - 1,6 мкм (наиб. перспективного для волоконно-оптич. линий связи). Твёрдые растворы InxGa1-xASySb1_y, изопериодические с подложкой GaSb и AlSb. перспективны для 1119923-76.jpg = 2-4 нм. Дальняя ИК-область (1119923-77.jpg>5мкм) осваивается с помощью твёрдых растворов PbSxSe1-xPbxS1-xTe.

Литература по гетеролазерам

  1. Богданкевич О. В., Дарзнек С. А., Елисеев П. Г., Полупроводниковые лазеры, M., 1976;
  2. Кейси Х., Паниш М., Лазеры на гетероструктурах, пер. с англ., т. 1-2, M., 1981;
  3. Елисеев П. Г., Введение в физику инжекционных лазеров, M., 1983.

Ж. И. Алферов, E. Л. Портной

к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

(время поиска примерно 20 секунд)

Знаете ли Вы, в чем ложность понятия "физический вакуум"?

Физический вакуум - понятие релятивистской квантовой физики, под ним там понимают низшее (основное) энергетическое состояние квантованного поля, обладающее нулевыми импульсом, моментом импульса и другими квантовыми числами. Физическим вакуумом релятивистские теоретики называют полностью лишённое вещества пространство, заполненное неизмеряемым, а значит, лишь воображаемым полем. Такое состояние по мнению релятивистов не является абсолютной пустотой, но пространством, заполненным некими фантомными (виртуальными) частицами. Релятивистская квантовая теория поля утверждает, что, в согласии с принципом неопределённости Гейзенберга, в физическом вакууме постоянно рождаются и исчезают виртуальные, то есть кажущиеся (кому кажущиеся?), частицы: происходят так называемые нулевые колебания полей. Виртуальные частицы физического вакуума, а следовательно, он сам, по определению не имеют системы отсчета, так как в противном случае нарушался бы принцип относительности Эйнштейна, на котором основывается теория относительности (то есть стала бы возможной абсолютная система измерения с отсчетом от частиц физического вакуума, что в свою очередь однозначно опровергло бы принцип относительности, на котором постороена СТО). Таким образом, физический вакуум и его частицы не есть элементы физического мира, но лишь элементы теории относительности, которые существуют не в реальном мире, но лишь в релятивистских формулах, нарушая при этом принцип причинности (возникают и исчезают беспричинно), принцип объективности (виртуальные частицы можно считать в зависимсоти от желания теоретика либо существующими, либо не существующими), принцип фактической измеримости (не наблюдаемы, не имеют своей ИСО).

Когда тот или иной физик использует понятие "физический вакуум", он либо не понимает абсурдности этого термина, либо лукавит, являясь скрытым или явным приверженцем релятивистской идеологии.

Понять абсурдность этого понятия легче всего обратившись к истокам его возникновения. Рождено оно было Полем Дираком в 1930-х, когда стало ясно, что отрицание эфира в чистом виде, как это делал великий математик, но посредственный физик Анри Пуанкаре, уже нельзя. Слишком много фактов противоречит этому.

Для защиты релятивизма Поль Дирак ввел афизическое и алогичное понятие отрицательной энергии, а затем и существование "моря" двух компенсирующих друг друга энергий в вакууме - положительной и отрицательной, а также "моря" компенсирующих друг друга частиц - виртуальных (то есть кажущихся) электронов и позитронов в вакууме.

Однако такая постановка является внутренне противоречивой (виртуальные частицы ненаблюдаемы и их по произволу можно считать в одном случае отсутствующими, а в другом - присутствующими) и противоречащей релятивизму (то есть отрицанию эфира, так как при наличии таких частиц в вакууме релятивизм уже просто невозможен). Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМАФорум Рыцари теории эфира
Рыцари теории эфира
 13.06.2019 - 05:11: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> ПРОБЛЕМА ГЛОБАЛЬНОЙ ГИБЕЛИ ПЧЁЛ И ДРУГИХ ОПЫЛИТЕЛЕЙ РАСТЕНИЙ - Карим_Хайдаров.
12.06.2019 - 09:05: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
11.06.2019 - 18:05: ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ФИЗИКА - Experimental Physics -> Эксперименты Сёрла и его последователей с магнитами - Карим_Хайдаров.
11.06.2019 - 18:03: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Андрея Маклакова - Карим_Хайдаров.
11.06.2019 - 13:23: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вячеслава Осиевского - Карим_Хайдаров.
11.06.2019 - 13:18: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Светланы Вислобоковой - Карим_Хайдаров.
11.06.2019 - 06:28: АСТРОФИЗИКА - Astrophysics -> К 110 летию Тунгуской катастрофы - Карим_Хайдаров.
10.06.2019 - 21:23: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Владимира Васильевича Квачкова - Карим_Хайдаров.
10.06.2019 - 19:27: СОВЕСТЬ - Conscience -> Высший разум - Карим_Хайдаров.
10.06.2019 - 19:24: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ЗА НАМИ БЛЮДЯТ - Карим_Хайдаров.
10.06.2019 - 19:14: СОВЕСТЬ - Conscience -> РУССКИЙ МИР - Карим_Хайдаров.
10.06.2019 - 08:40: ЭКОНОМИКА И ФИНАНСЫ - Economy and Finances -> КОЛЛАПС МИРОВОЙ ФИНАНСОВОЙ СИСТЕМЫ - Карим_Хайдаров.
Bourabai Research Institution home page

Боровское исследовательское учреждение - Bourabai Research Bourabai Research Institution