к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Оптическая запись информации

Оптическая запись информации - процессы записи информации, переносимой оптич. излучением, а также область науки, изучающая эти процессы. О, з. и. осуществляют на т. и. оптич. носителях информации - физ. телах, используемых для сохранения в них или на их поверхности оптич. информации. О. з. н. основана на светоиндуциров. процессах в регистрирующей среде, к-рые приводят к изменению состояния или формы носителя. О. з. и. может включать в себя также дополнит. обработку носителя, напр. проявление, закрепление, изменение размеров и т. д.
Для О. з. и. можно использовать изменение любого физ--хим. свойства регистрирующей среды (электронного состояния, атомной структуры, намагниченности и т. д.). Однако в осн. используют изменение двух параметров: комплексного показателя преломления15016-107.jpg15016-108.jpg и оптич. длины пути l - lГп (lГ - геом. путь, п - показатель преломления среды,15016-109.jpg - характеризует поглощение). Изменение величины15016-110.jpg15016-111.jpgи15016-112.jpg под действием оптич. излучения даёт соответственно амплитудную, фазовую и рельефно-фазовую запись. Существует неск. классов регистрирующих сред: галогенидосеребряные, фотохромные (см. Фотохромные материалы ),электрооптические, магнитооптические и разл. полупроводники - аморфные, органпч., молекулярные. В галогенидосеребряных средах можно получить амплитудную15016-113.jpg или фазовую15016-114.jpg15016-115.jpg запись. В аморфных полупроводниках фотофиз. реакции приводят к амплитудной записи. В органич. полупроводниках в эл--фотогр. процессе записи реализуется амплитудная, а в фототермопластическом - рельефно-фазовая записи (см. Фазовая рельефография). В магнитооптических средах, меняющих намагниченность под действием света, О. з. и. и её воспроизведение происходят с использованием эффекта Фарадея.
Параметры оптической регистрации. Важнейшими параметрами оптич. регистрирующей среды являются: уд. энергия W (табл.), характеризующая уд. светочувствительность S среды (W = 1/S)и равная величине входного сигнала, при к-рой достигается заданное отношение сигнал/шум в выходном сигнале (обычно W измеряется в Дж/см2); разрешающая способность R (в мм-1) или плотность записи (бит/см2, бит/см3); энергия, необходимая для записи одного бита информации, характеризующая информац. светочувствительность Sинф (обычно измеряется в Дж/бит); обратимость записи, характеризуемая числом циклов перезаписи, возможность записи в реальном времени. Уд. и информац. светочувствительности среды связаны соотношением S-1инф = kS х R2 , где k - коэф., зависящий от способа измерения R. Светочувствительность сред изменяется в пределах 11 порядков, соответственно, W от 1 до 10-11 Дж/см2. Энергия записи одного бита информации изменяется от 10-9 Дж/бит (типичная величина для прямой записи) до 10-16 Дж/бит (для наиб. чувствительных галогенидосеребряных сред) и до 5 х 10-15 Дж /бит (для наиб. чувствительных несеребряных сред), т. е. она значительно меньше, чем для электронных вычислит. систем (10-12 - 10-13 Дж/бит). Ряд сред разл. классов позволяет выполнять обратимую оптпч. запись. К таким средам относятся халькогенпдпые типа ТеОх, окислы ванадия VOх (число циклов перезаписи не менее 106), гетероструктурные фототермопластич. среды (число циклов перезаписи не менее 103).

Светоиндуцнрованные процессы в разл. веществах сводятся к трём типам реакций: фотоперспос носителей заряда (без изменения структуры вещества); светоиндуцир. фазовые переходы (фотоструктурные изменения вещества); селективное электрои-фононное преобразование центров (процессы выжигания провалов в бесфононных линиях).
Фотопереносом электронов обусловлено большинство фотохромных реакций в ионных кристаллах и органич. соединениях, а также процессы фоторефракции в эл--оптич. кристаллах. В халькогенидных стеклообразных полупроводниках фотоперенос заряда является определяющим при интенсивности света < 100 Вт/см2, а при больших интенсивностях процессы носят фототермнч. характер. Светоиндуцированные фазовые переходы в большинстве случаев фототермические, поглощённая световая энергия вызывает нагрев вещества. Фототермич. запись наиб. детально изучена в аморфных халькогенидных полупроводниках (теллур, бинарные соединения типа АsхS100_хТеОx.). В них индуцированные светом реакции фазовых переходов "аморфное состояние - кристаллич. состояние" по светочувствительности не уступают реакциям фотопереноса (см. табл.). Селективное электрон-фононное преобразование центров в твёрдых телах путём лазерного выжигания спектральных провалов на бесфононных линиях реализуется на молекулярных центрах в ионных кристаллах, органич. твёрдых телах и др. Спектры поглощения и люминесценции молекулярных центров в твёрдых телах и замороженных растворах состоят из характерных бесфононных линий (чисто электронные переходы) с широкими фононными крыльями. Если интенсивность бесфопонпых линий существенно превышает интенсивность фононных крыльев, то с помощью лазера можно сделать спектральный провал - "выжечь" узкую бесфононную линию в пределах всего спектра неоднородного уширения. Лазерное возбуждение переводит центр в метастабильное или ионизов. состояние. Меняя частоту лазера, можно выжигать ~106 бесфононных линий в пределах полосы фононных крыльев. Этим способом удаётся существенно превысить дифракц. предел оптич. записи на двумерных средах (108 бит/см2), доведя его до 1011 бит/см2.

Параметры регистрирующих сред для оптической записи
Регистрирующие среды
W,

Дж/с.м2

S, ед. ГОСТ
R,

мм-1

S инф, Дж/бит
Галогенидосеребрянпые: Polaroid Type 410
10-11
104
10
10-15
Royal X - Pan Kodak
(1 - 5) х 10-10
103
60
10-15 -2 х 10-18
Kodak 649F
3 х 10-5
0,01
5 х 1 03
10-14
Фотохромные: ионные кристаллы стёкла
10-2 - 5
-
-
10-8 - 2 х 10-10
Электрооптич. кристаллы: кристаллы LiNbO3
5 х 10-5
4 х 1 03
3 х 10-14
Керамика
0,1 - 0, 6
-
Аморфные полупроводники
10-2 - 10-4
3 х 1 0-3
10-9
Магнитооптические
10-2
-
10-9
Органич. полупроводники: фототермопластнки
5 х 10-6
0,1
2 х 103
5 х 10-14
Реоксан
10-2
-
Фотохромные
1
-
_
10-8
Молекулярные
10-2
-
-
10-9
Оптические бистабиль-ные VOX
10-5
2 х 103
3 х 10-14
Гетеростру ктурные: CdSc-термопластнк
10-7
102
500
5 х 10-15

Для светоиндуциров. процессов, согласно закону Эйнштейна, один поглощённый квант света вызывает один элементарный акт в веществе. Для количеств. характеристики действия света вводят понятие квантового выхода15016-116.jpg, определяемого как отношение ср. количества элементарных актов светоиндуциров. процессов или реакций Na, возникших под действием N поглощённых квантов света, к числу этих квантов:
15016-117.jpg = Na/N. В прямых светоиндуцнров. реакциях без дополнит. усиления эффекта, вызванного светом, квантовый выход не может превышать единицу. Он может быть больше единицы (до десятков), если вызванная светом реакция связана с распадом высокоэнергетич. электронного состояния на неск. низкоэнергетич. состояний или с размножением электронных возбуждений в сильном электрич. поле. Такими процессами являются, напр., фотонное умножение в полупроводниках и распад высокоэнергетич. электронных состояний в щёлочно-галоидных кристаллах, галогенидосеребряных средах, аморфных и органич. полупроводниках. Величина15016-118.jpg и уровень усиления первичной записи определяют предельную светочувствительность сред.
Основные типы носителей оптической информации. Существуют три способа оптич. записи: аналоговый, побитовый, голографический, к-рые используются со всеми типами оптич. носителей информации. Первые исследования по О. з. и. были выполнены Гольдбергом (Goldberg) в 1926 на фотоэмульсиях в виде микрофотографий. Была достигнута предельная плотность записи информации для двумерной записи 108 бит/см2. Микрофотографии (микрофиши) обладают высокой разрешающей способностью, и информация на них может храниться десятилетиями. Однако этот способ не получил широкого распространения для обработки информации ввиду трудностей выборки микрофотогр. информации. Разработки регистрирующих сред для прямой О. з. и. в реальном времени завершились появлением в 1982 оптич. дисков памяти (см. Памяти устройства), к-рые используются на мировом рынке в видеопроигрывателях и видеоустройствах. Высокое качество звуко- и видеовоспроизведения обеспечило их широкое распространение. В оптич. дисках памяти применяется оптпч. побитовая запись в тонких металлич. и полупроводниковых плёнках. Сравнительно простая технология, низкая стоимость носителей и процессов записи (запись одного бита информации в ~103 раз дешевле, чем магнитная на дисках и лентах), а также надёжность в эксплуатации явились решающими факторами их широкого практич. применения. Они обладают высокой разрешающей способностью (плотность записи 108 бит/см2) и высокой светочувствительностью (10-9 Дж/бит), позволяющей осуществлять запись с маломощными (5 - 10 мВт) полупроводниковыми лазерами.
Пространственно-временные модуляторы света обладают высокой светочувствительностью, с ними возможны быстрые запись и стирание, высокая цикличность, они используются для ввода оптич. некогерентных изображений в информац--вычислит. системы, в оптич. спецпроцессорах для обнаружения, опознавания образов и слежения, для анализа и преобразования изображений.
О голографич. записи информации см. в ст. Голограмма, Голографическое распознавание образов, Голография.

Литература по оптической записи информации

  1. Фризер X., Фотографическая регистрация информации, пер. с нем., М., 1978;
  2. Бугаев А. А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А., Фазовый переход металл - полупроводник и его применение, Л., 1079;
  3. Акимов И. А., Черкасов Ю. А., Черкашин М. И., Сенсибилизированный фотоэффект, М., 1980;
  4. Несеребряные фотографические процессы, под ред. А. Л. Картужанского, Л., 1984;
  5. Шварц К. К., Физика оптической записи в диэлектриках и полупроводниках, Рига, 1986;
  6. Пространствснные модуляторы света, М., 1987;
  7. Черкасов Ю. А., Буров П. А., CdSe - ФТП - новая регистрирующая среда для пространственных модуляторов света широкой области спектра, "Труды ГОИ", 1988, т. 70, в. 204, с. 67 (Иконика, кн. V).

Ю. А. Черкасов

к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

(время поиска примерно 20 секунд)

Знаете ли Вы, что только в 1990-х доплеровские измерения радиотелескопами показали скорость Маринова для CMB (космического микроволнового излучения), которую он открыл в 1974. Естественно, о Маринове никто не хотел вспоминать. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМАФорум Рыцари теории эфира
Рыцари теории эфира
 01.10.2019 - 05:20: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вячеслава Осиевского - Карим_Хайдаров.
30.09.2019 - 12:51: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Дэйвида Дюка - Карим_Хайдаров.
30.09.2019 - 11:53: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Владимира Васильевича Квачкова - Карим_Хайдаров.
29.09.2019 - 19:30: СОВЕСТЬ - Conscience -> РУССКИЙ МИР - Карим_Хайдаров.
29.09.2019 - 09:21: ЭКОНОМИКА И ФИНАНСЫ - Economy and Finances -> КОЛЛАПС МИРОВОЙ ФИНАНСОВОЙ СИСТЕМЫ - Карим_Хайдаров.
29.09.2019 - 07:41: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Михаила Делягина - Карим_Хайдаров.
26.09.2019 - 17:35: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Андрея Пешехонова - Карим_Хайдаров.
26.09.2019 - 16:35: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
26.09.2019 - 08:33: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от О.Н. Четвериковой - Карим_Хайдаров.
26.09.2019 - 06:29: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Ю.Ю. Болдырева - Карим_Хайдаров.
24.09.2019 - 03:34: ТЕОРЕТИЗИРОВАНИЕ И МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ - Theorizing and Mathematical Design -> ФУТУРОЛОГИЯ - прогнозы на будущее - Карим_Хайдаров.
24.09.2019 - 03:32: НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ - New Technologies -> "Зенит"ы с "Протон"ами будут падать - Карим_Хайдаров.
Bourabai Research Institution home page

Боровское исследовательское учреждение - Bourabai Research Bourabai Research Institution