к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Органические проводники

Органические проводники - соединения, содержащие наряду с углеродом также элементы из набора Н, N, S, Se, О, Р, обладающие проводимостью15023-52.jpg Ом-1 x см-1 (низким уд. сопротивлением15023-53.jpg) и такой же температурной зависимостью15023-54.jpg, как и металлы (уменьшение r при охлаждении). О. п. называют также синтетич. металлами, подчёркивая этим, что электронные свойства, характерные для металлов, получены в них путём синтеза спец. органич. соединений (природные органич. соединения не обладают металлич. проводимостью, все они являются диэлектриками). Поиск О. п. был стимулирован идеей У. А. Литтла (W. A. Little) о возможности достижения в проводящих молекулярных цепочках сверхпроводимости при комнатной температуре (Т = 300 К) с помощью экситонного механизма. Синтезированы органич. соединения с15023-55.jpg ~ 105 - 106 Ом-1 х см-1 при Т15023-56.jpg4 К. Среди них есть сверхпроводники с критич. температурой Тс15023-57.jpg10 К (см. Органические сверхпроводники ).Важной задачей является создание органических проводников, способных конкурировать с обычными металлами, используемыми в электронике и электротехнике.
Существующие О. п. можно разделить по структуре на два типа - кристаллы с переносом заряда и полимеры .Первые содержат плоские органич. молекулы с сопряжёнными связями. Молекулы играют роль доноров или акцепторов. Металлич. поведение обнаружено в кристаллах, содержащих одну из следующих четырёх молекул: молекулу тетрацианхинодиметана (TCNQ), являющегося акцептором; молекулы тетраселенотетрацена (TSeT), тетраметилтетраселенофульвалена (TMTSF) или бис-этилендитиолотетратиофульвалена (BEDT - TTF). Последние являются донорами. Перенос заряда осуществляется между этими молекулами и атомами (К+, Rb+, С1-), группами атомов (SCN-, СlO-4 , PF-6 , I-3 , AuI-2 ) или плоскими органическими молекулами с сопряжёнными связями (хинодиметан Qn, тетратиофульвален TTF) (рцс. 1).

15023-58.jpg

Рис. 1. Молекулы, используемые при синтезе органических проводников и сверхпроводников; чёрный кружок - СН.

В кристаллах хорошопроводящих солей с переносом заряда плоские молекулы упакованы так, что ионы одного знака образуют стопки, чередующиеся со стопками или цепочками ионов противоположного знака. Орбитали15023-59.jpg-электронов сопряжённых связей плоских молекул вытянуты в виде восьмёрки перпендикулярно плоскости молекул (см. Молекулярная орбиталь ).Они обеспечивают достаточно хорошее перекрытие электронных волновых функций соседних молекул в стопке. Поэтому15023-60.jpg-электроны плоских молекул делокализованы не только внутри молекулы, но и вдоль стопки. В нейтральном состоянии донорные или акцепторные молекулы содержат чётное число15023-61.jpg-электронов, но при образовании кристалла число электронов в их15023-62.jpg-оболочке изменяется и зона15023-63.jpg-электронов в стопке оказывается заполненной частично. Т. о., реализуются два условия, необходимых для металлич. поведения электронов: частичное заполнение зоны15023-64.jpg-электронов и их делокализация, по меньшей мере вдоль цепочки (рис. 2,а). Эти условия, однако, не всегда достаточны для металлич. поведения электронов при всех температурах. Системы с одномерным движением электронов переходят в диэлектрич. состояние при охлаждении, даже если при более высоких Т они проявляли металлич. свойства (см. Квазиодномерные соединения).

15023-65.jpg

Рис. 2. а - Распределение электронной плотности15023-66.jpg-орбиталей в гипотетической одномерной цепочке (слева) и энергетический спектр15023-67.jpg-электронов (справа); заштрихованы15023-68.jpg-связи (вид сбоку) и соответствующие энергетические зоны; б - то же при Т<Тп.

Такие переходы металл - диэлектрик могут быть вызваны т. н. пайерлсовской неустойчивостью (см. Пайерлса переход ),влиянием неизбежного беспорядка или достаточно сильным кулонсвским отталкиванием электронов. Пайерл-совская неустойчивость присуща практически всем упорядоченным системам с сильной анизотропией одномерного типа. Если при высоких темп-pax молекулы расположены эквидистантно вдоль цепочки, то ниже температуры пайерлсовского перехода Тпони смещаются так, что на поверхности Ферми формируется энергетич. щель, делающая систему диэлектриком при Т < Тп (рис. 2,б). Так, в TTF - TCNQ при Т = 300 К проводимость15023-69.jpg вдоль цепочек примерно в 350 раз выше, чем в перпендикулярных направлениях. Рост15023-70.jpg (т. е. падение15023-71.jpg) при охлаждении продолжается до 60 К, но затем15023-72.jpg резко падает (15023-73.jpgвозрастает) из-за перехода Пайерлса (рис. 3). Беспорядок подавляет пайерлсовский переход, но сам он приводит к локализации электронов из-за действующего на них случайного потенциала (см. Андерсоновская локализация ),и система опять становится диэлектрической при низких темп-pax. Такое поведение наблюдается в солях TCNQ с асимметричными катионами типа Qn(TCNQ)2. Здесь15023-76.jpg слегка падает при охлаждении от 300 К до 240 К, но при дальнейшем понижении температуры15023-77.jpg возрастает из-за локализации электронов в цепочке TCNQ под действием хаотич. потенциала случайно ориентированных катионов Qn.

15023-74.jpg

Рис. 3. Зависимость удельного сопротивления15023-75.jpgот температуры Т в органических кристаллах с переносом заряда.

Пайерлсовская неустойчивость может быть подавлена в системах с двумерным или трёхмерным движением электронов, т. е. в кристаллах с достаточно сильным перекрытием электронных волновых функций разных цепочек. Именно на этом пути получены О. п. Впервые металлич. проводимость вплоть до самых низких Т была достигнута в кристаллах (TSeT)2Cl. Анизотропия движения электронов в этом соединении меньше, чем в TTF - TCNQ, из-за большего перекрытия электронных орбиталей атомов Se молекул TSeT разных цепочек через анионы С1-. Пайерлсовский переход здесь происходит при более низкой температуре (24 К) и приводит не к диэлектрическому, а к полуметаллич. состоянию (см. Полуметаллы ).При давлении выше 4,5 Кбар этот переход исчезает, и соединение остаётся металлом вплоть до Т ~ 0,1 К.

15023-78.jpg

Рис. 4. Кристаллическая структура (TMTSF)2BrО4: вид вдоль стопок (слева) и перпендикулярно стопкам вдоль слоев TMTSF (справа).

Уменьшение одномерного характера движения электронов было достигнуто также в солях Бекгарда (TMTSF)2X. Здесь стопки молекул TMTSF образуют слои (рис. 4), и боковые атомы Se этих молекул обеспечивают перекрытие электронных волновых функций соседних цепочек в слое благодаря их сближению на расстояния, меньшие ван-дер-ваальсовых. При Т = 300 К проводимость вдоль стопок катионов (TMTSF) в кристаллах (TMTSF)2C1О4 примерно в 25 раз выше, чем поперёк стопок в слое катионов, и в 500 раз выше, чем поперёк слоя катионов. Для кристаллов (TMTSF)2X с линейными (SCN-) и октаэдрич. (ВrО-4 , ReO-4 и др.) анионами характерны структурные переходы с ориен-тац. упорядочением анионов при низких темп-pax, приводящие к диэлектрич. основному состоянию. Исключением оказывается лишь соединение с X = СlO-4 , где после перехода сохраняется металлич. поведение со сверхпроводящим переходом при Тс = 1,3 К. В солях с более симметричными октаэдрич. анионами типа PF-6 упорядочение анионов не наблюдается, и в них обнаружены переходы металл - диэлектрик в состояние сволнами спиновой плотности из-за сильного кулоновского отталкивания электронов в сочетании с одномерным характером анизотропии их движения (см. Спиновой плотности волны ).Давления ~10 Кбар подавляют эти переходы, металлич. состояние сохраняется вплоть до самых низких Т (соединения становятся сверхпроводящими с Тс= 1 К). Сильное магн. поле способно при этом восстанавливать диэлек-трич. состояние. Многообразие фазовых переходов в семействе (TMSF)2X объясняется близостью этого семейства к квазиодномерным системам, фактически оно оказывается промежуточным между ними и слоистыми системами (см. Квазидвумерные соединения, Интеркалированные соединения).
Первыми органич. кристаллами без признаков одномерной анизотропии и диэлектрич. переходов стали соединения15023-79.jpg-(BEDT - TTF)2X. Стопки молекул BEDT - TTF образуют слои, и 8 боковых атомов 8 в молекулах дают лучшее перекрытие электронных волновых функций соседних цепочек, чем 4 атома Se в кристаллах (TMTSF)2X. Кроме того, отклонения структуры этой молекулы от плоской ослабляют перекрытие волновых функций электронов соседних молекул в стопке. В результате кратчайшими оказываются расстояния между атомами S разных молекул из соседних стопок в слое (рис. 5). Движение электронов в слое катионов (BEDT - TTF) практически изотропно при низких Т, в то время как поперёк слоев15023-80.jpg меньше примерно в 100 раз.
Проводящие полимеры на основе углеводородов (полиацетилен, полиниррол, полипарафенил, политиофен) имеют сопряжённые связи вдоль всей своей длины, к-рые обеспечивают делокализацию15023-84.jpg-электронов вдоль полимерной молекулы.

15023-81.jpg

Рис. 5. Кристаллическая структура15023-82.jpg-(BEDT - TTF)2I3: а - вид вдоль слоев; б - сетка атомов S в слое BEDT - TTF (остальные атомы не показаны), по которой двигаются15023-83.jpg-электроны. Тонкими линиями показаны расстояния S - S между молекулами, которые меньше ван-дер-ваальсовых расстояний.

В простейшей молекуле этого типа - полиацетилене (СН)х (рис. 6) длина цепи сопряжения х достигает неск. тысяч15023-85.jpg. Полимерные молекулы собраны в волокна с диам. 20015023-86.jpg. Взаимодействие нитей в волокне слабое, и движение электронов имеет одномерный характер. Поэтому металлич. состояние с эквидистантными расстояниями между атомами С неустойчиво относительно пайерлсовских переходов с удвоением периода (димеризации, рис. 2). В результате димеризации, а также кулоновского отталкивания в энергетич. спектре15023-89.jpg-электронов появляется щель шириной 1,8 эВ.

15023-87.jpg

Рис. 6. Молекула полиацетилена: слева - распределение электронной плотности (заштрихованы15023-88.jpg-связи); справа - структурная формула.

Поэтому чистый полиацетилен - диэлектрик. Легирование полиацетилена атомами К, Na, Br, I, группами атомов типа AsF5 либо органич. донорами или акцепторами приводит к появлению бесспиновых носителей заряда - солитонов, специфических для пайерлсовского диэлектрика с удвоением периода. Солитопы определяют проводимость соединений (СНХу)х; при у < 0,06 она достигает значении 10-4 - 10-3 Ом-1 х см-1 при Т = 300 К и падает при охлаждении. При у ~ 0,1 - 0,2 достигаются15023-90.jpg ~ 10-4 - 10-3 Ом-1 х см-1, причём а медленно падает при охлаждении. При у > 0,1 появляется характерная для металла парамагн. восприимчивость (см. Паули парамагнетизм ).Электрохимическое осаждение (допирование) полиацетилена обратимо, и полиацетиленовая плёнка используется для изготовления аккумуляторов.

Литература по органическим проводникам

  1. Горьков Л. П., Физические явления в новых органических проводниках, "УФН", 1984, т. 144, с. 381;
  2. Буздин А. И., Булаевский Л. Н., Органические сверхпроводники, там же, с. 415;
  3. Brazovskii S. A., Kirоva N. N.. Electron selflocalization and periodic superstructure in quasi onedimesional dielectrics, Sov. Scient. Reviews, Sec. A. Physical Review, ed. by I. M. Chalatnikov, 1984, v. 5, p. 100;
  4. Sсhrieffer J. R., Proc. Intern. School of Physics "Enrico Fermi", Course LXXXIX, ed. by F. Bassani, F. Fumi, M. P. Tosi, North-Holand, 1984, p. 767.

Л. Н. Булаевский

к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

(время поиска примерно 20 секунд)

Знаете ли Вы, что такое мысленный эксперимент, gedanken experiment?
Это несуществующая практика, потусторонний опыт, воображение того, чего нет на самом деле. Мысленные эксперименты подобны снам наяву. Они рождают чудовищ. В отличие от физического эксперимента, который является опытной проверкой гипотез, "мысленный эксперимент" фокуснически подменяет экспериментальную проверку желаемыми, не проверенными на практике выводами, манипулируя логикообразными построениями, реально нарушающими саму логику путем использования недоказанных посылок в качестве доказанных, то есть путем подмены. Таким образом, основной задачей заявителей "мысленных экспериментов" является обман слушателя или читателя путем замены настоящего физического эксперимента его "куклой" - фиктивными рассуждениями под честное слово без самой физической проверки.
Заполнение физики воображаемыми, "мысленными экспериментами" привело к возникновению абсурдной сюрреалистической, спутанно-запутанной картины мира. Настоящий исследователь должен отличать такие "фантики" от настоящих ценностей.

Релятивисты и позитивисты утверждают, что "мысленный эксперимент" весьма полезный интрумент для проверки теорий (также возникающих в нашем уме) на непротиворечивость. В этом они обманывают людей, так как любая проверка может осуществляться только независимым от объекта проверки источником. Сам заявитель гипотезы не может быть проверкой своего же заявления, так как причина самого этого заявления есть отсутствие видимых для заявителя противоречий в заявлении.

Это мы видим на примере СТО и ОТО, превратившихся в своеобразный вид религии, управляющей наукой и общественным мнением. Никакое количество фактов, противоречащих им, не может преодолеть формулу Эйнштейна: "Если факт не соответствует теории - измените факт" (В другом варианте " - Факт не соответствует теории? - Тем хуже для факта").

Максимально, на что может претендовать "мысленный эксперимент" - это только на внутреннюю непротиворечивость гипотезы в рамках собственной, часто отнюдь не истинной логики заявителя. Соответсвие практике это не проверяет. Настоящая проверка может состояться только в действительном физическом эксперименте.

Эксперимент на то и эксперимент, что он есть не изощрение мысли, а проверка мысли. Непротиворечивая внутри себя мысль не может сама себя проверить. Это доказано Куртом Гёделем.

Понятие "мысленный эксперимент" придумано специально спекулянтами - релятивистами для шулерской подмены реальной проверки мысли на практике (эксперимента) своим "честным словом". Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМАФорум Рыцари теории эфира
Рыцари теории эфира
 01.10.2019 - 05:20: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вячеслава Осиевского - Карим_Хайдаров.
30.09.2019 - 12:51: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Дэйвида Дюка - Карим_Хайдаров.
30.09.2019 - 11:53: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Владимира Васильевича Квачкова - Карим_Хайдаров.
29.09.2019 - 19:30: СОВЕСТЬ - Conscience -> РУССКИЙ МИР - Карим_Хайдаров.
29.09.2019 - 09:21: ЭКОНОМИКА И ФИНАНСЫ - Economy and Finances -> КОЛЛАПС МИРОВОЙ ФИНАНСОВОЙ СИСТЕМЫ - Карим_Хайдаров.
29.09.2019 - 07:41: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Михаила Делягина - Карим_Хайдаров.
26.09.2019 - 17:35: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Андрея Пешехонова - Карим_Хайдаров.
26.09.2019 - 16:35: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
26.09.2019 - 08:33: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от О.Н. Четвериковой - Карим_Хайдаров.
26.09.2019 - 06:29: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Ю.Ю. Болдырева - Карим_Хайдаров.
24.09.2019 - 03:34: ТЕОРЕТИЗИРОВАНИЕ И МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ - Theorizing and Mathematical Design -> ФУТУРОЛОГИЯ - прогнозы на будущее - Карим_Хайдаров.
24.09.2019 - 03:32: НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ - New Technologies -> "Зенит"ы с "Протон"ами будут падать - Карим_Хайдаров.
Bourabai Research Institution home page

Боровское исследовательское учреждение - Bourabai Research Bourabai Research Institution