к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы - общее название разнообразных приборов, действие к-рых основано на свойствах полупроводников - однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p - п - переходы и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл. явления, связанные с чувствительностью полупроводников к внеш. воздействиям (изменению температуры, действию света, электрич. и магн. полей и др.), а также поверхностные свойства полупроводников (контакт полупроводник - металл, полупроводник - диэлектрик и их сочетания).

Табл. 1. - Полупроводниковые приборы на основе однородного полупроводника

Внешнее воздействие

Используемое явление (свойство)

Название прибора

Число

электродов

Свет

Пропускание света выше определ. частоты

Оптич. фильтр

0

"

Генерация носителей заряда под действием света

Полупроводниковый лазер с оптич. накачкой


Электронный пучок

Генерация носителей под действием электронов

Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком


-

Электрич. поле E

Электропроводность полупроводника s ток I=s Е

Резистор (сопротивление)

-

"

Ганна эффект

Генератор Ганна

2

Свет частоты w и E

99-17.jpg

Фотосопротивление (фоторезистор)

2

E и магн. поле н

Магнето резистивный эффект (магнето-сопротивление)

Сопротивление (резистор), управляемое магн. полем

2

"

Холла эффект; VН=f(Е,Н)

Датчик Холла

4

Е, темп-pa Т

Зависимость электропроводности полупроводника от температуры; I=s(T)E

Термистор (терморезистор)

2

Е, давление p

Тензорезистивный эффект

Тензодатчик

2

Табл. 2. - Многопереходные полупроводниковые приборы

Внешнее воздействие

Название

Основные особенности

Число электродов

E1 или Е2


Биполярный транзистор

Взаимосвязанные р- и n-переходы


3

Е



Диодный тиристор



Четырёхслойная

структура p - n - p - n



2

"



Триодный тиристор



p - n - p - n-структура с 1 управляю-

щим электродом



3

"




Полевой транзистор
с p - n-переходом



Униполярный транзистор с затвором
в виде p - n-перехода





"





МДП-диод





Диоды с МДП-структурой (переменная ёмкость, светоизлучающие диоды, приёмники света)





2

"



МДП-транзистор

(МДП-триод)


МДП-структура


3


Наряду с П. п., классификация к-рых приведена в табл. 1, 2, 3, к П. п. относят также полупроводниковые интегральные схемы - монолитные функциональные узлы, все элементы к-рых изготовляются в едином технол. процессе.

Табл. 3 - Полупроводниковые приборы с одним p-n-переходом, гетеропереходом или переходом металл-диэлектрик

Внешнее воздействие

Используемое явление

Название прибора

Число электродов

Свет

Вентильная фотоэдс

Полупроводниковый фотоэлемент, солнечная
батарея

2

E


Вольт-амперная характеристика p - n -перехода

Полупроводниковый диод-выпрямитель

2

"

Зависимость сопротивления p - n-перехода от приложенного напряжения

Варистор (переменное сопротивление)




2


"




Зависимость ёмкости
p - n-перехода от приложенного напряжения

Варактор (переменная ёмкость)




2



"





Излучат, рекомбинация
электронов и дырок в
области гомо- или гетеро- р - n-перехода
(спонтанная)

Светоизлучающий диод (электро-люминесцентный диод)





2


"






N -образная вольт-амперная характеристика
сильнолегированного
(с двух сторон) р- п-
перехода (вырождение)


Туннельный диод
(усиление и генерирование
электрич. колебаний с частотами 10 ТГц)






2

"




Излучат, рекомбинация
(вынужденная) в области гомо- или (чаще) гетеро- p - n-переходов

Инжекционный лазер




2



"




Резкое возрастание тока через p - n-переход из
за лавинного пробоя и
туннелирования

Стабилизатор напряжения




2



"





Генерация колебаний
СВЧ, связанная с лавинным умножением и задержкой на время
пролёта

Лавинно-пролётный диод (генератор)





2



"

Вольт-амперная характеристика контакта металл - полупроводник

Диод Шоттки, диод Мотта, точечный диод



2



Генерация электронно-
дырочных пар частицей, влетающей в обеднённый носителями
слой вблизи контакта
полупроводник - металл или вблизи p - n-перехода

Полупроводниковый детектор частиц

"






T


Зеебека эффект


Термопара, термогенератор


"

E, T


Пельтье эффект


Холодильник Пельтье


"

Свет, Е




Генерация электронов и
дырок в области p - n-
перехода под дейстием
света

Фотодиод (детектор света и др.)



"



Литература по полупроводниковым приборам

  1. Пасынков В. В., Чиркип Л. К., Шинков А. Д., Полупроводниковые приборы, 4 изд., М., 1987;
  2. Федотов Я. А., Основы физики полупроводниковых приборов, 2 изд., М., 1970;
  3. 3и С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., кн. 1-2, М., 1984,
к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

(время поиска примерно 20 секунд)

Знаете ли Вы, что "гравитационное линзирование" якобы наблюдаемое вблизи далеких галактик (но не в масштабе звезд, где оно должно быть по формулам ОТО!), на самом деле является термическим линзированием, связанным с изменениями плотности эфира от нагрева мириадами звезд. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМАФорум Рыцари теории эфира
Рыцари теории эфира
 01.10.2019 - 05:20: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вячеслава Осиевского - Карим_Хайдаров.
30.09.2019 - 12:51: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Дэйвида Дюка - Карим_Хайдаров.
30.09.2019 - 11:53: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Владимира Васильевича Квачкова - Карим_Хайдаров.
29.09.2019 - 19:30: СОВЕСТЬ - Conscience -> РУССКИЙ МИР - Карим_Хайдаров.
29.09.2019 - 09:21: ЭКОНОМИКА И ФИНАНСЫ - Economy and Finances -> КОЛЛАПС МИРОВОЙ ФИНАНСОВОЙ СИСТЕМЫ - Карим_Хайдаров.
29.09.2019 - 07:41: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Михаила Делягина - Карим_Хайдаров.
26.09.2019 - 17:35: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Андрея Пешехонова - Карим_Хайдаров.
26.09.2019 - 16:35: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
26.09.2019 - 08:33: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от О.Н. Четвериковой - Карим_Хайдаров.
26.09.2019 - 06:29: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Ю.Ю. Болдырева - Карим_Хайдаров.
24.09.2019 - 03:34: ТЕОРЕТИЗИРОВАНИЕ И МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ - Theorizing and Mathematical Design -> ФУТУРОЛОГИЯ - прогнозы на будущее - Карим_Хайдаров.
24.09.2019 - 03:32: НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ - New Technologies -> "Зенит"ы с "Протон"ами будут падать - Карим_Хайдаров.
Bourabai Research Institution home page

Боровское исследовательское учреждение - Bourabai Research Bourabai Research Institution