к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Тензорезистивный эффект, пьезосопротивление

Тензорезистивный эффект, пьезосопротивление - изменение сопротивления (проводимости s) кристаллов под действием всестороннего cжатия (pастяжения) или одноосной деформации Особенно велик Т э в полупроводниках (открыт Ч Смитом в 1947 в Ge и Si [1]) где он связан с изменением энергетич спектра носителей заря да при деформации в частности с изменением ширины запрещенной зоны и энергии ионизации примесных уровней, с относит изменением энергии отд долин в многодо линных полупроводниках, с расщеплением дырочных зон, к рые в отсутствие деформации вырождены, с изменением эффективной массы носителей заряда (см Зонная теория)Все это приводит к изменению концентрации и подвижности носителей заряда

Линейный Т э (малые деформации) описывается т.н. тензорами эластосопротивления тabgd или пьезосопротивления pabgd, связывающими относит измене ние проводимости Ds/s0 (s0-проводимость в отсутствие деформаций) с тензором деформации ugд или тензором упругого напряжения Pgd

5012-29.jpg

Учитывая симметрию относительно перестановки индек сов s и u (Р), обычно используют матричные обозначения, вводя вместо двух пар индексов a, b и g, d соответственно два индекса n и т, пробегающие значения от 1 до 6 Тензорным обозначениям a, b или g, d равным 11, 22, 33, 23, 13, 12, соответствуют матричные обозначения т или n

5012-30.jpg

кристаллах отличны от 0 три компоненты эластосопротив-тения т и пьезосопротивления p, связанные друг с другом соотношениями

5012-31.jpg

где Smn - компоненты тензора коэф упругости

В собств полупроводниках осн. механизмом, ответственным за Т. э , является изменение концентрации носителей заряда, вызываемое изменением ширины запрещенной зоны В примесных полупроводниках Т э обычно вызываются изменением спектра носителей заряда в результате расщепления вырожденной зоны при одноосных деформациях, изменяющих симметрию кристалла

В многодолинных полупроводниках вырождение снимается в результате смещения долин (изоэнергетич по верхностей - эллипсоидов) относительно друг друга при деформациях, нарушающих их эквивалентность Соответственно в n-Gе, где эллипсоиды в импульсном пространстве расположены на осях [111], большой является компонента т44(p44, в n S1 они расположены на осях [100] и большая компонента m11 - m12 (p11- p12) Эти компоненты определяются значениями константы деформац потен циала 5012-32.jpg и соответственно равны [2, 3 ]

5012-33.jpg

где k=m|/m|-коэф анизотропии подвижности носителей заряда для одного экстремума (долины) зоны (m|-подвижность вдоль оси вращения эллипсоида, m|-поперек)

В полупроводниках с вырожденными зонами типа p-Ge или p-Si Т. э. обусловлен расщеплением валентной зоны в точке p = 0 спектра дырок E(p)и изменением спектра вблизи экстремума. Большой Т;э. наблюдается при всех одноосных деформациях [3 ].

При больших деформациях, когда относит, смещение долин в многодолинных полупроводниках или расщепление вырожденной зоны в точке p = 0 становятся сравнимыми с kT, Т. э. становится нелинейным по деформации; при достаточно больших деформациях, когда все носители "пе-ретекают" в ниж. экстремумы, сопротивление практически "выходит на насыщение" (перестаёт меняться). При прыжковой проводимости большая величина Ds/s обусловлена изменением перекрытия волновых функций, вызываемым изменением спектра носителей заряда.

Литература по

  1. Smith С. S., Piezoresistance in germanium and silicon, "Phys, Rev.", 1954, v. 94, p. 42; 2) Morin F. J., Geballe Т. Н., Herring C, Temperature dependence of the piezoresistance of high purity silicon and germanium, "Phys. Rev.", 1957, v. 105, p. 525: 3) Вир Г, Л., Пикус Г. Е., Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, М., 1972; 4) Глаговский Б. А., Пивен И. Д. , Электротензометры сопротивления, 2 изд., Л., 1972; 5) Полякова А. Л., Физические принципы работы полупроводниковых датчиков механических величин, "Акуст. ж.", 1972, т. 18, в. 1, с. 1; 6) Най Дж., Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц, пер. с англ., 2 изд., М., 1967.

    Г. Е, Пикус.

    к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

    (время поиска примерно 20 секунд)


    Знаете ли Вы, что "тёмная материя" - такая же фикция, как черная кошка в темной комнате. Это не физическая реальность, но фокус, подмена.
    Реально идет речь о том, что релятивистские формулы не соответствуют астрономическим наблюдениям, давая на порядок и более меньшую массу и меньшую энергию. Отсюда сделан фокуснический вывод, что есть "темная материя" и "темная энергия", но не вывод, что релятивистские формулы не соответствуют реалиям. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

    НОВОСТИ ФОРУМА

    Форум Рыцари теории эфира


    Рыцари теории эфира
     25.09.2020 - 10:58: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> Биологическая безопасность населения - Карим_Хайдаров.
    25.09.2020 - 10:56: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ПРАВОСУДИЯ.НЕТ - Карим_Хайдаров.
    25.09.2020 - 10:53: СОВЕСТЬ - Conscience -> РУССКИЙ МИР - Карим_Хайдаров.
    25.09.2020 - 10:53: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Ю.Ю. Болдырева - Карим_Хайдаров.
    24.09.2020 - 20:03: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> КОМПЬЮТЕРНО-СЕТЕВАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ ДЛЯ ВСЕХ - Карим_Хайдаров.
    24.09.2020 - 20:00: НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ - New Technologies -> ПРОБЛЕМА ИСКУССТВЕННОГО ИНТЕЛЛЕКТА - Карим_Хайдаров.
    24.09.2020 - 19:57: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
    24.09.2020 - 06:24: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Пламена Паскова - Карим_Хайдаров.
    24.09.2020 - 04:57: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> РАСЧЕЛОВЕЧИВАНИЕ ЧЕЛОВЕКА. КОМУ ЭТО НАДО? - Карим_Хайдаров.
    24.09.2020 - 04:52: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Александра Флоридского - Карим_Хайдаров.
    24.09.2020 - 04:45: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ЗА НАМИ БЛЮДЯТ - Карим_Хайдаров.
    23.09.2020 - 19:06: ЭКОНОМИКА И ФИНАНСЫ - Economy and Finances -> ПРОБЛЕМА КРИМИНАЛИЗАЦИИ ЭКОНОМИКИ - Карим_Хайдаров.

    Боровское исследовательское учреждение - Bourabai Research Bourabai Research Institution