Шоттки эффект - рост электронного тока насыщения из твёрдого тела (катода) под действием внешнего ускоряющего электрич.
поля вследствие уменьшения работы выхода электрона из твёрдого тела (рис.).
Распределение потенциала у поверхности металла
приотсутствии (1) и наличии
(2) внешнего ускоряющегоэлектрического
поля; F-полная работа выхода; z - расстояние
от имитирующей поверхности.
При отсутствии электрич. поля распределение потенциала
U у поверхности металла имеет форму гиперболы (кривая 1 на рис.),
что связано с действием сил электрич. притяжения, называемых также силами зеркального
изображения, поскольку, когда электрон покидает эмиттер, он индуцирует в твёрдом
теле заряд, являющийся его зеркальным изображением. При наложении внешнего однородного
электрич. поля напряжённостью E потенц. барьер приобретает вид кривой
2; в результате работа выхода уменьшается на
где е - заряд электрона; последнее выражение
для металлов применимо лишь для E<105 В/см (когда начинается
автоэлектронная эмиссия ).Если источником электронного тока служит накалённый
катод, то за счёт Ш. э. сила тока возрастает от I0 до
, где T-темп-pa катода; в случае фотокатода происходят сдвиг порога фотоэффекта
в сторону больших длин волн и соответствующий рост фотоэлектронного тока при
освещении катода.
При покрытии поверхности металла тонкой адсорбирующей
плёнкой неоднородной структуры в характере Ш. э. возникают аномалии, связанные
со сложным взаимодействием локальных электрич. полей между чистыми и покрытыми
плёнкой участками поверхности. Вследствие этого зависимость (*) теряет силу,
особенно в области полей E104
В/см (аномальный Ш. э.).
При создании электрич. поля у поверхности полупроводникового
источника электронов Ш. э. приобретает значительно более сложный характер, чем
в случае металла. Наряду с понижением внеш. потенц. барьера здесь наблюдается
как частичное проникновение электрич. поля внутрь полупроводника на глубину,
зависящую от концентрации свободных зарядов, так и его частичное экранирование
слоем поверхностных зарядов. В результате электрич. поле, как правило, оказывает
большее влияние на работу выхода электрона, а следовательно, и на силу электронного
тока у полупроводников, чем у металлов.
На основе Ш. э. можно исследовать нек-рые электронные
свойства поверхностей твёрдых тел.
Знаете ли Вы, что электромагнитное и другие поля есть различные типы колебаний, деформаций и вариаций давления в эфире. Понятие же "физического вакуума" в релятивистской квантовой теории поля подразумевает, что во-первых, он не имеет физической природы, в нем лишь виртуальные частицы у которых нет физической системы отсчета, это "фантомы", во-вторых, "физический вакуум" - это наинизшее состояние поля, "нуль-точка", что противоречит реальным фактам, так как, на самом деле, вся энергия материи содержится в эфире и нет иной энергии и иного носителя полей и вещества кроме самого эфира. В отличие от лукавого понятия "физический вакуум", как бы совместимого с релятивизмом, понятие "эфир" подразумевает наличие базового уровня всей физической материи, имеющего как собственную систему отсчета (обнаруживаемую экспериментально, например, через фоновое космичекое излучение, - тепловое излучение самого эфира), так и являющимся носителем 100% энергии вселенной, а не "нуль-точкой" или "остаточными", "нулевыми колебаниями пространства". Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.